专利名称：一种氧化硅膜的制备方法专利类型：发明专利发明人：雷通
申请号：CN201410412313.8申请日：20140820公开号：CN104157567A公开日：20141119
摘要：本发明提供了一种氧化硅膜的制备方法，其包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底表面吸附缓冲层反应先驱物；对缓冲层反应先驱物进行氩气吹扫过程；采用CO等离子体对缓冲层反应先驱物进行氧化处理，从而在半导体衬底表面形成缓冲层；在缓冲层表面制备主体氧化硅膜。采用氧化性较弱的二氧化碳，可以有效减小对半导体衬底造成的氧化损伤；由于有了缓冲层的保护，可以不用顾忌半导体衬底会遭受到严重的氧化损伤，所以能够采用氧化性较强的氧气来制备主体氧化硅膜，从而避免了氧化硅膜的制备过程中对半导体衬底的氧化损伤，同时也可以不用过于降低温度而保证了所制备的氧化硅膜的质量和良好的台阶覆盖性。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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