专利名称：PMOS的制造方法专利类型：发明专利发明人：张庆,李中华
申请号：CN202011201682.4申请日：20201102公开号：CN112382570A公开日：20210219
摘要：本发明公开了一种PMOS的制造方法，包括：步骤一、在晶圆上形成PMOS的栅极结构，在栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层；步骤二、测量晶圆上的所述T2G的片内分布；步骤三、根据T2G的片内分布设置应力记忆技术的热处理工艺的温度分布，利用热处理工艺的温度对沟道区的应力影响补偿T2G对所述沟道区的应力的影响，使晶圆上各区域的沟道区的应力的差异变小且都满足要求值；步骤四、按照设置的温度分布进行所述热处理工艺。本发明能实现对晶圆的PMOS产品进行及时动态调整，能提高产品的片内、片间以及批次间的饱和源漏电流的均匀性。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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