专利名称：单晶硅的制造方法和硅晶片专利类型：发明专利发明人：梶原薰,原田和浩申请号：CN201910789918.1申请日：20190826公开号：CN110863240A公开日：20200306
摘要：本发明提供提拉速度容限宽、氧浓度为4×10atoms/cm以下、电阻率的面内偏差小、不仅没有检测到原生缺陷而且在氧沉淀评价热处理后也没有检测到氧沉淀物的单晶硅的制造方法。通过提拉法制造氮浓度为1×10atoms/cm以上且5×10atoms/cm以下、氧浓度为1×10atoms/cm以上且4×10atoms/cm以下的单晶硅3的方法，生成添加了氮的硅熔液2，将会切磁场的垂直方向的磁场中心位置设定在硅熔液2的上方，边对硅熔液2施加会切磁场边以不会产生原生缺陷的提拉速度来提拉单晶硅3。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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