专利名称：硅晶片制造方法专利类型：发明专利发明人：井上和俊,和田直之申请号：CN200610121923.8申请日：20060828公开号：CN1924116A公开日：20070307
摘要：一种制造硅晶片的方法，它利用具有只能安装晶片规定区域——包括其后面的中心位置——的安装面的传送片，将(100)面硅晶片传送到单晶片热处理装置或气相生长装置的处理炉中或从炉中传出，使晶片经受热处理或气相生长，其中<010>或<001>取向相对于传送片安装面的横向方向偏移一预定角度。
申请人：株式会社上睦可
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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