专利名称：纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置专利类型：发明专利
发明人：周绍林,胡松,唐小萍,赵立新,杨勇,陈旺富,徐峰,陈明
勇
申请号：CN201010256375.6申请日：20100817公开号：CN101950132A公开日：20110119
摘要：纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置由光源激光管发出的单色平面波经第一反射镜反射后，垂直入射位于掩模标记区域内的第一标记光栅和第二标记光栅，从第一标记光栅透射的衍射光B经硅片表面反射与另一束直接从第二标记光栅上反射的衍射光束B，经反射镜二偏转后被物镜接收，最后汇聚于物镜的像面并发生双光束干涉，由CCD探测器记录干涉条纹，并根据条纹的移动或者相位变化状况调节实现间隙测量控制。本发明的测量灵敏度极高、实用性强，对纳米光刻中的掩模硅片调平、间隙测量及控制相关领域具有重要的意义。
申请人：中国科学院光电技术研究所
地址：610209 四川省成都市双流350信箱
国籍：CN
代理机构：北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人：卢纪
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