专利名称：一种太阳能电池单晶硅片的制造方法专利类型：发明专利
发明人：李金甫,屠勇勇,肖冀,季炯申请号：CN201010194517.0申请日：20100604公开号：CN101851779A公开日：20101006
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的单晶硅片的制造方法，依次包括准备、配料、拉棒和切割步骤，拉棒步骤包括熔化、挥发、种晶、缩颈、放肩、拉晶、收尾和冷却过程。其中，在配料步骤中，采取以原生多晶硅为主原料并掺硼母合金的配方，或者以原生多晶硅为主原料配以循环料的配方；在拉棒步骤中，控制坩埚转速为1rpm～8rpm以降低硅熔融液的氧浓度，控制晶棒转速为3rpm～12rpm以改善生长晶棒中氧的径向分布，并控制晶棒拉速为0.8mm/min～3mm/min。所生产的单晶硅片氧含量低且分布均匀，所制成的单晶硅太阳能电池质量上佳，光电转换效率高、衰减低。
申请人：浙江芯能光伏科技有限公司
地址：314400 浙江省海宁市经济开发区皮都路9号
国籍：CN
代理机构：浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人：吴关炳
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