（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN200410095762.0 （22）申请日 2004.11.19 （71）申请人 株式会社爱发科
地址 日本神奈川县
（10）申请公布号 CN1638052B （43）申请公布日 2010.06.23
（72）发明人 原田雅道;五户成史
（74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司
代理人 杨凯
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
薄膜制造方法
（57）摘要
本发明旨在提供一种在低温形成低电
阻的阻障膜的技术以及在低温下去除半导体衬底表面或者金属膜表面的氧化物、氟化物、碳化物及氮化物的技术。真空槽(11)内放置催化物(21)并加热，并向真空槽(11)内交互地导入原料气体和反应性气体，使吸附在被处理物(40)表面上的原料气体和被催化物(21)的作用来分解反应性气体生成的游离基进行反应，层叠薄膜。在低温下得到低电阻的阻障膜。反应性气体可用H 法律状态
法律状态公告日
2005-07-13 2006-09-20 2010-06-23
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
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说明书
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