STM32外加了flash芯片(AT45DB2D)，读取flash中的数据，通过串口发出？
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AT45DB652D内部是分页的，您可以按页来读取，该Flash芯片是SPI接口的，建议读取Flash时，使用DMA读取，否则这高速DataFlash就看不出高速了。
通过串口发出的时候，也是按包来封装，可以1页分成若干个若，我们建议串口单次连续发送的数据不要超过256字节，加上辅助字节，最好不要超过300字节。而且需要加上校验和重发机制。
建议读流程如下：
1. 上位机将需要的页号或多个页号发给STM32
2. STM32启动SPI操作，逐页读取，并采取先进先出的方式保存在一个FIFO缓冲区中，该缓冲区以页大小为单位
3. 通过串口拼包发出。
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STM32系列单片机，最大的人、RAM是128k，最小的只有8K，你一个数组就占用了10K，太浪费了，我建议你一次存128字节，分次发送，这样省内存
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AT45DB652D内部是分页的，您可以按页来读取，该Flash芯片是SPI接口的，建议读取Flash时，使用DMA读取，否则这高速DataFlash就看不出高速了。
通过串口发出的时候，也是按包来封装，可以1页分成若干个若，我们建议串口单次连续发送的数据不要超过256字节，加上辅助字节，最好不要超过300字节。而且需要加上校验和重发机制。
建议读流程如下：
1. 上位机将需要的页号或多个页号发给STM32
2. STM32启动SPI操作，逐页读取，并采取先进先出的方式保存在一个FIFO缓冲区中，该缓冲区以页大小为单位
3. 通过串口拼包发出。
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STM32系列单片机，最大的人、RAM是128k，最小的只有8K，你一个数组就占用了10K，太浪费了，我建议你一次存128字节，分次发送，这样省内存
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AT45DB652D内部是分页的，您可以按页来读取，该Flash芯片是SPI接口的，建议读取Flash时，使用DMA读取，否则这高速DataFlash就看不出高速了。
通过串口发出的时候，也是按包来封装，可以1页分成若干个若，我们建议串口单次连续发送的数据不要超过256字节，加上辅助字节，最好不要超过300字节。而且需要加上校验和重发机制。
建议读流程如下：
1. 上位机将需要的页号或多个页号发给STM32
2. STM32启动SPI操作，逐页读取，并采取先进先出的方式保存在一个FIFO缓冲区中，该缓冲区以页大小为单位
3. 通过串口拼包发出。
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AT45DB652D内部是分页的，您可以按页来读取，该Flash芯片是SPI接口的，建议读取Flash时，使用DMA读取，否则这高速DataFlash就看不出高速了。
通过串口发出的时候，也是按包来封装，可以1页分成若干个若，我们建议串口单次连续发送的数据不要超过256字节，加上辅助字节，最好不要超过300字节。而且需要加上校验和重发机制。
建议读流程如下：
1. 上位机将需要的页号或多个页号发给STM32
2. STM32启动SPI操作，逐页读取，并采取先进先出的方式保存在一个FIFO缓冲区中，该缓冲区以页大小为单位
3. 通过串口拼包发出。
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STM32系列单片机，最大的人、RAM是128k，最小的只有8K，你一个数组就占用了10K，太浪费了，我建议你一次存128字节，分次发送，这样省内存
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STM32系列单片机，最大的人、RAM是128k，最小的只有8K，你一个数组就占用了10K，太浪费了，我建议你一次存128字节，分次发送，这样省内存
